تك تك
  السبت 1 صفر 1431 هـ ، 16 يناير 2010 م

ترانزيستورات جديدة من أنابيب النانو تحمل ضعف إمكانيات السيليكون


ترانزيستورات جديدة من أنابيب النانو تحمل ضعف إمكانيات السيليكون
هناك مخاوف من أن نمو قوة الحوسبة المستمر الذي اعتدنا أن نعتمد عليه أصبح مهددا بانتهاء أساليب تقليص ترانزيستورات السيليكون، و بينما اعتبرت أنابيب النانو الكربونية منقذا فعالا إلا أنه ثبتت صعوبة تصنيع الترانزيستورات منها.

و لكن نجح الباحثون بمركز Watson البحثي في IBM في اكتشاف طريقة لاستخدام أنابيب نانو كربونية أكثر نحافة لبناء ترانزيستور منافس من أنابيب النانو، و يرجع هذا النجاح إلى الشكل الهندسي حيث سمح وضع أقطاب الترانزيستور بشكل مختلف في تقريب الأقطاب من بعضها مما ساعد الإلكترونات على تخطي الحواجز الإلكترونية في أنابيب النانو و أتاح إمكانية تقليص حجم الترانزيستور إلى 15 نانومتر فقط.

و يعتبر ذلك عملا عظيما حيث سيقدم أجهزة بضعف إمكانيات تقنيات السيليكون في السوق اليوم، و لكن لا تزال التقنية غير جاهزة لتقديمها تجاريا...

جميع الحقوق محفوظة لموقع تك تك